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本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构是良好的接触结构
浅结欧姆接触研究
【摘 要】
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本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构是良好的接触结构
【机 构】
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无锡微电子公司,无锡微电子公司
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1990年01期
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