浅结相关论文
高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄......
利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品......
本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点......
采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明......
随着器件尺寸缩小,浅结、超浅结的制作日益成为重要的工艺模块。对于22nm及以下技术代来说,除了采用低能离子注入获得极浅的原始注......
为了改善铝/硅之间非均匀性的溶解和浅结的电性能,在n型衬底上制作浅的P~+-n结,淀积Al后将B~+ 离子注入到Al-Si界面进行混合。420......
80keV As~+注入Si其剂量达5×10~(15)cm~(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错......
剂量为1×10~(15)cm~(-2)的10keV B~+和45keV BF_2~+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的......
本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶......
本文报道了As预非晶制作浅P~+n结,对As预非晶的能量和剂量的选择作了研究,并对常规炉退火(950℃,N_2,30m)和快速热退火(RTA,1050℃......
本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点......
本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子......
芯片制造商和半导体设备制造商都在不断开发新的技未和集成工艺，来满足国际半导体技术蓝图（ITRS）对于浅结的苛刻要求。......
采用低能离子注入法在Ｓｉ材料上制作了浅结结构紫外光（ＵＶ）探测器，介绍了 的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明，这种探讨器能够......
向CoSi_2膜中分别注入As~+和BF_2~+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制......
对不同条件的Ｆ＾＋＋Ｂ＾＋双注入样品和对应能量的Ｂ＾＋和ＢＦ＾＋２注入样品，作１１００℃，１０秒的瞬时热退火，然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深。结果显示，用１×１０＾１５／ｃｍ＾２的......
微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是,由......
剂量为1×1015cm-2的10keV B+和45keV BF2+分别注入（100）n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行......
本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)......
本文报道了As预非晶制作浅P+n结,对As预非晶的能量和剂量的选择作了研究,并对常规炉退火（950℃,N2,30m）和快速热退火（RTA,1050℃,10s）......
采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N~+/P结和0.17μm P~+/N结,并应用于0.5μm C......
利用Boltzmann-Matno变换方法,求解与浓度有关的扩散方程,得到了砷硼快速热退火再分布的解析模型.实验证明本解析结果较好地符合快......
本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶......
根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源......
功率MOSFET广泛应用于消费电子等行业的各个领域里,相比于其他结构,具有导通电阻低、开关速度快、频率特性好等特点的沟槽型功率场......
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