【摘 要】
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在真空中用电子束加热,从直径100毫米的基座棒上生长直径40毫米的硅晶体。在晶体生长过程基座被消耗着,这样就提供着连续的无坩埚工艺。一个偏心放置在基座熔体上的环形电子
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在真空中用电子束加热,从直径100毫米的基座棒上生长直径40毫米的硅晶体。在晶体生长过程基座被消耗着,这样就提供着连续的无坩埚工艺。一个偏心放置在基座熔体上的环形电子轰击圆环,对于工艺的连续性和大直径晶体的生长是很必要的。
Silicon crystals 40 mm in diameter were grown from a 100 mm diameter pedestal rod using vacuum electron beam heating. The base is consumed during crystal growth, thus providing a continuous crucibleless process. An annular electron bombardment ring placed eccentrically on the base melt is necessary for the continuity of the process and for the growth of large diameter crystals.
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