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以B(CH3)3为掺杂剂，采用正交实验法，以硅烷浓度、B(CH3)3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量，对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80nm左右的P型微晶硅(滋c-Si:H)薄膜，通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等，研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响，并在此基础上做进一步的参数优化，得到更高电导的微晶硅薄膜；将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中，得到6%的初始效率。