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利用硼离子Ｂ＾＋注入方法来改善Ｓｉ３Ｎ４薄膜的力学性质，并就Ｂ＾＋注入对Ｓｉ３Ｎ４薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究，实验结果表明，Ｂ＾＋注入能够有效地降低薄膜的内应力，而对薄膜的驻极体性质有不利的影响；用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。
硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善
【摘 要】
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利用硼离子Ｂ＾＋注入方法来改善Ｓｉ３Ｎ４薄膜的力学性质，并就Ｂ＾＋注入对Ｓｉ３Ｎ４薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究，实验结果表明，Ｂ＾＋注入能够有效地降低薄膜的内应力，而对薄膜的驻极体性质有不利的影
【机 构】
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同济大学波耳固体物理研究所,中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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2000年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金!（59682003）,中科院离子束开放研究实验室课题资助项目!（硼离子注入对Si3N4薄膜驻极体性能的改善）
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