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利用原子层沉积（ALD）方法在Si（100）片上沉积200nm的ZnO薄层作为籽晶层,通过化学气相沉积（CVD）法常压下在籽晶层上生长ZnO晶体结构。通过X射线衍射（XRD）、场发射电子扫描显微镜（FESEM）和光致发光光谱（PL）手段对其结构形貌及光学性质进行表征,结合晶体生长机理讨论和分析影响ZnO微纳结构生长的因素。结果表明,反应源气氛浓度是影响ZnO形貌的重要因素。