Ga1—xInxAs／InAsyP1—y／InP异质结的MOCVD生长及表征

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【摘要】

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Ga_(1-x)In_xAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga_(1-x)In_xAs(x>0.53)/InAs_

【作者】

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周天明金亿鑫

【机构】

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中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所长春130021,长春130021,长春130021

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

1992年1期

【关键词】

：

异质结半导体光致发光 MOCVD

【基金项目】

：

国家高技术新材料委员会

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Ga_(1-x)In_xAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga_(1-x)In_xAs(x>0.53)/InAs_yP_(1-y)/Inp异质结材料.其中InAs_(1-y)P_y为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs_(1-y)P_y层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果

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