新型稀磁半导体Cd1-xMnxIn2Te4的光学和磁学性能

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nimadebiri
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采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5~ 30 0K和磁场强度范围 0~ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率曲线变化很小 .随着x的增加Cd1-xMnxIn2 Te4 的光学带隙移向高能端 .磁化率倒数 χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里 万斯定律 ,在低温下x≥ 0 2 2时向下偏离该定律 .与具有相同Mn2 + 浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体的交换积分常数较小 . Cd1-xMnxIn2 Te4 crystals with x = 0 1,022 and 0 4 were prepared by vertical Bridgman method.The infrared optical properties of the crystals were investigated by infrared transmission spectroscopy.The superconducting quantum magnetometers The range of 5 ~ 30 0K and the magnetic field intensity range of 0 ~ 5T magnetization intensity in the mid-infrared band transmittance curve changes with increasing x Cd1-xMnxIn2 Te4 optical band gap toward the high energy end. The curve of χ-1 versus temperature T obeys the Curie’s law at high temperature and deviates downward from the law at x ≧ 0 2 2 at low temperature.Compared with Cd1-xMnxTe crystals with the same concentration of Mn2 +, Cd1-xMnxIn2 The exchange integral constant of Te4 crystal is smaller.
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