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本文介绍堆积式列阵半导体激光器，着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小，受环境温度影响大，用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器。它的Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ，单个１．３μｍ激光器，脉冲峰值功率超过３ｗ（瓦），单个１．５５μｍ激光器，脉丫峰值功率超过２Ｗ。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现，列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和；而减步的比率随着