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极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致结构缺陷--反相畴产生,而选用(100)面偏向[011]方向4°或(211)面的Si作衬底,可以有效消除反相畴.
Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
【摘 要】
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极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致结构缺陷--反相畴产生,而选用(100)面偏向[01
【机 构】
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昆明理工大学,云南师范大学,昆明物理研究所,昆明冶金研究院
【出 处】
：
半导体光电
【发表日期】
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2002年1期
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