【摘 要】
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以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数 ,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜 .通过对富氏变换红外光
【基金项目】
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苏州大学薄膜材料江苏省重点实验室资助的课题~~
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以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数 ,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜 .通过对富氏变换红外光谱 (FTIR)的分析 ,比较了反应源和薄膜键结构的差异 ,证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构 ,另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结构 ,在沉积过程中失去的主要是侧链的—CH3基团 .薄膜经过 4 0 0℃热处理后 ,其介电常数由3 85降低到 2 85 ,对其FTIR谱的分析指出 ,薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因
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