SiCOH薄膜相关论文
研究了用十甲基环五硅氧烷和三氟甲烷电子回旋共振等离子体沉积的掺F SiCOH低k薄膜中,CHF3/DMCPS比对薄膜结构、成分、介电性能、......
研究了真空热处理对掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜的电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:......
以十甲基环五硅氧烷（D5）为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法制备了介电常数较低、电学性能和热稳定性优良......
随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大以及互连阻容耦合增大等问题,为了解决这一问题,多孔低(超低......
研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的......
以十甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.62的SiCOH薄膜.研......
以十甲基环五硅氧烷（DMCPS）和三氟甲烷（CHF3）作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法，制备了氟掺杂的SiCOH低介......
通过在前驱气体D5源中添加甲烷，由ECRCVD沉积技术制备出了低介电常数的SiCOH薄膜，在甲烷流量为2sccm的条件下，获得了k值为2.45的薄膜......
研究了用十甲基环五硅氧烷和三氟甲烷电子回旋共振等离子体沉积的掺FSiCOH低k薄膜中，CHF，／DMCPS比对薄膜结构、成分、介电性能、热稳......
以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数 ,且电绝缘性能和热稳定......
以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.45,485℃下的热稳定性优良......
随着集成电路向超大规模方向发展,电子元器件朝向小型、高速、低能耗、高集成度方向发展。然而互连阻容耦合(RC)产生的延迟效应极......
随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大以及互连阻容耦合增大等问题,为了解决这一问题,多孔低(超低......
