a—SiNx／nc—Si／a—SiNx三明治结构的电荷存储效应

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhou1225

【摘要】

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采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长技术结合限制性结晶原理,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法,使a-Si:H层晶化,制备出了高密度的、尺寸均匀的nc-Si薄膜;利用

【作者】

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戴敏鲍云石建军张林李伟陈铠王立黄信凡陈坤基

【机构】

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南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

纳米硅退火电容-电压特性电荷存储 ncSi thermal anneal CV characteristics charge storage

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采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长技术结合限制性结晶原理,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法,使a-Si:H层晶化,制备出了高密度的、尺寸均匀的nc-Si薄膜;利用Raman散射和透射电镜(TEM)技术,分析了样品的结构特性;采用C-V测量方法,通过对退火和未退火样品的对比分析,对该三明治样品的电学性质进行了研究,观察到nc-Si薄膜的电荷存储现象,并且该现象与nc-Si层的厚度有着明显的关系.

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