电容-电压特性相关论文
测量了CdTe太阳电池器件从50kHz至1MHz频率范围的电容-电压特性,计算了吸收层的载流子浓度和空间电荷区的位置,电容-电压特性测试......
文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量......
研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N......
基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型。考虑到能级分裂后，电容C—V特性曲线平带附近的Kink效应，得到有效减弱；并且能级分裂......
采用原子层淀积（ALD）的方法在Si（100）衬底上制备了铪铝氧（HfAIO）高介电常数介质，并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积......
采用磁控溅射方法在Nb0.7％-SrTiO3基片上制作Au薄膜接触，并在氧气气氛下750℃退火30min，在室温环境下测量电流-电压和电容-电压等特性......
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了......
利用正向交流(a.c.)小信号方法对发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了发光二极管中的负电容现象,并且测试频率越......
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SO-Si/SO/p-Si纳米结构.......
用射频溅射系统成功制备出cBN/Si N-p异质结,并系统研究了其电学性质.掺硫(S)的n型c-BN薄膜用13.56 MHz射频溅射系统沉积在P型Si(1......
通过测试蔡氏电路中关键元件的电压特性关系，给出了混沌电路稳定出现八倍周期分岔现象时电路对元件性能的要求．实验发现相移电容的电......
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长技术结合限制性结晶原理,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法,使a-Si:H层晶化,制......
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压（C-V）特性曲线中,出现了峰和负......
有机半导体是近年来科学研究和产业开发方面最具有应用潜力的研究领域之一。本论文的研究对象是有机半导体器件的电容特性,其中最......
利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率......
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战......
用分子动力学模拟和第一性原理计算分析方法，研究电场对含空位缺陷硅结构的影响。分子动力学结果表明，硅（100）晶面处的空位数量，总体随......
摘要：聚合物太阳能电池中的物理过程对器件效率的提升具有重要的指导意义,在聚合物：富勒烯器件中,载流子复合、传输及收集的分析对其......
国际半导体技术蓝图（ITRS）预言了先进Complementary Metal-Oxide-Semiconductor（CMOS）器件尺寸缩减的趋势。当栅层的等效氧化厚度小于1......
近年来,作为第三代半导体的代表,氮化镓(GaN)因广阔的应用前景而备受关注。商业化GaN基蓝光发光二极管(LED)和激光器(LD)的出现,吸......
