基于光电子显微镜的x射线近吸收边结构研究

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利用基于第三代同步辐射光源的光电子显微镜图像[1,2](图1),我们测量了银的L3全电子产生几率模式的X射线近吸收边结构谱,同Burattini等的透射实验结果比较[3,4],二者十分吻合,说明反射、透射模式的X射线近吸收边结构谱均能很好地描述材料的非占有电子态结构.进一步利用描述电子在固体内的散射过程及级联产生的二次电子过程的蒙特卡罗模型[5]计算了银的L3吸收边上、下的X光子激发的光电子、俄歇电子及其级联产生的二次电子对全部出射电子的贡献.全电子产生几率同实验结果接近,同时在吸收边两侧全电子产生几率的
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