【摘 要】
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利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 ＰｔＳｉ／ ｐ-Ｓｉ异质薄膜，采用Ｘ射线光电子讲（ＸＰＳ）测试其芯能级和价电子能谱．结果表明，其相形成由表面到界面为Ｐｔ，Ｐｔ＿２Ｓｉ，ＰｔＳｉ，材底温度的升高与沉积薄Ｐｔ膜有利于单一ＰｔＳｉ的形成，
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院,哈尔滨理工大学应用科学学院 黑龙江 哈尔滨 150080,黑龙江 哈尔滨 150080
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利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 ＰｔＳｉ／ ｐ-Ｓｉ异质薄膜，采用Ｘ射线光电子讲（ＸＰＳ）测试其芯能级和价电子能谱．结果表明，其相形成由表面到界面为Ｐｔ，Ｐｔ＿２Ｓｉ，ＰｔＳｉ，材底温度的升高与沉积薄Ｐｔ膜有利于单一ＰｔＳｉ的形成，并揭示其价电子谱中谱峰出现的原因．
The PtSi / p-Si heterogeneous thin films were prepared by magnetron sputtering and their core energy levels and valence electron spectra were measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the formation of Pt Pt, Pt_2Si and PtSi from the surface to the interface and the increase of the substrate temperature and the formation of a single PtSi film are also discussed. The reason why the peak appears in the valence electron spectrum is revealed.
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