论文部分内容阅读
研究了金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用。用真空感应熔炼精密浇铸方法制备含铬和硅化物，作为溅射沉积在电阻薄膜的溅射阴极靶材。发现随着硅含量的增加，溅射得到的薄膜电阻值变大，Ｓｉ含量在５０％（质量分数）以上时，溅射阴极靶材的组成由ＣｒＳｉ２，ＮｉＳｉ两相变成Ｓｉ，ＣｒＳｉ２三相。所研制了三种型号的溅射阴极靶材适用于不同电阻值范围的电阻薄膜的溅射沉积，可在金属膜和金属氧化膜电阻器上应用。