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采用直流磁控溅射ZAO陶瓷靶的工艺，在玻璃衬底上成功地镀刺了ZAO透明半导体膜，获得了电阻率6×10^-4Ωcm和可见光透过率85％以上的ZAO薄膜最佳光电特性参数．
ZAO透明半导体薄膜的研究
【摘 要】
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采用直流磁控溅射ZAO陶瓷靶的工艺，在玻璃衬底上成功地镀刺了ZAO透明半导体膜，获得了电阻率6×10^-4Ωcm和可见光透过率85％以上的ZAO薄膜最佳光电特性参数．
【机 构】
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河南教育学院化学系,郑州大学材料科学与工程学院
【出 处】
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河南教育学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2008年4期
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