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根据发光波长，化合物半导体能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结合各层的ｘ，ｙ值组成，掺杂浓度，厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构，这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＰ（衬底）管芯结构，对５９０ｎｍ峰值波长全透明，比ＧａＰ或ＧａＡｌＡｓ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＡｓ（衬底）管芯结构的出光率高出两倍其外量子效率小于６％。