双异质结相关论文
为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).使用双异质结电荷控制模型分析了基......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结的研究结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制、倒置结构的直流性能低......
通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN......
根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管......
一直以来,制约Si基光电集成的一个关键难题就是如何实现高效的光源器件。Ge材料具有与Si材料工艺相兼容,能带结构可调整等优点,有......
尽管MAPbI3钙钛矿太阳能电池的效率已经达到很高的水平,但是多晶钙钛矿材料的晶界会俘获自由载流子,影响效率的进一步提升.本文研......
报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／Ａｌｑ３／ＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电......
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生......
描述了AlGaN/GaN双异质结HEMT在室温，300℃和500℃下的工作性能。栅长为1.5-1.75μm、沟道长度为3μm器件的最大漏源电流和非本征跨......
InP基双异质结双极晶体管(DHBT)卓越的频率特性使其在无线通信、光纤通信、卫星通信和雷达系统中具有广泛的应用潜力，成为国内外研......
学位
随着现代科技的进步,各类先进探测器以及精确制导技术获得了快速发展,雷达和红外探测技术作为常用的探测技术也在军事探测方面得到......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在7月24日举行的“GaN掀起能源革命”研讨会上，中村修二指出，由蓝色 LED 产生的白色LED存在蓝色光的峰值强度较高，容易引起睡眠障碍的......
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗.本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术,例如厚......
报道了用LP MOVPE技术在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构 ,并研......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性......
报道了我们在高亮度 GaAlAs 红色发光管方面的最新成果。在一套完整的液相外延工艺基础上,我们采用一种新型的石墨舟结构,通过适当......
制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量......
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN......
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双......
期刊
本文提出一种新型电调频分器设计。采用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结（ＤＨ）脊形波导（ＲＷＧ）和分布布喇格反射器（ＤＢＲ）结构。通过改变加于器件的反偏压，由电光耦合效应改变波......
报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质红红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。......
报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／ＡｌｑＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电......
根据发光波长，化合物半导体能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结合各层的ｘ，ｙ值组成，掺杂浓度，厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构......
报道了用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术在蓝宝石衬底上生长出以双掺Ｚｎ和Ｓｉ的ＩｎＧａＮ为有源区的蓝光和绿光ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结结构，并研制成功发射波长分别为４３０－４５０ｎｍ和５２０－５４０ｎｍ的蓝光和绿光ＬＥＤ。据查，这......
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响，得到了优良的P型材料，并研制......
利用wxAMPS软件对吸收层In组分为0.2的非极性InGaN基P-I-N结构双异质结太阳能电池进行仿真,分别研究了在P-I结和I-N结处插入In0.1G......
采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过......
报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性......
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结（AlGaN/GaN/AlGaN/GaN）材料对高电子迁移率晶体管（HEMT）特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该......
介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引人注目的交叉学科课题：超导体／半导体／超导体双异质结构中电子在超导体／半导......
通过简单的二步水热法制备了一种具有良好光催化特性的海胆状Ag／g—C3N4／ZnO三元复合光催化材料，通过SEM，TEM，XRD，XPS和UV-VisDRS等表征......
利用普适GaAlA3双异质结半导体激光器，观察到被动锁模现象。讨论了半导体激光二极管的自脉动、外腔中的诱导自脉动以及被动锁模间的......
本文报道了用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀相结合沿ＩｎＰ衬底方向获得工作波长１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光器的腔面的方法。......
<正>卤化银（AgX）作为一种重要的光信息记录材料,也具有很好的光催化活性。目前,将AgX负载到A12O3、SiO2、TiO2等载体上形成的复合光......
近年来,由于人类社会的极速发展,环境污染和能源短缺的现象越来越严重,这让人类不得不重视环境污染的治理和新能源的创造,而利用太......
根据Porras的非傍轴矢量矩理论，对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究，结果表明，在有源层厚度da远小于波长λ的条件下，半导体激......
根据已经的有关文献实验数据，针对ＩｎＧａＡ１Ｐ发光材料的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，给出了描述Ｉｎ组分偏离报经验表达式，可应用于ＩｎＧａＡ１Ｐ双异质结生长中的Ｉｎ组分的控制。......
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美国UniversityofCalifornia采用转移衬底技术已研制成fMAX为 4 2 5GHz ,fT 为 14 1GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管 (DHBT......
作为光纤通信网络的关键光器件之一,光开关及其阵列一直是研究与开发的重点,要实现光分组交换层次上的高速全光通信,高速光开关及......
ＩｎＧａＡｌＰ双异质结ＬＥＤ结构设计的目的在于减少器件的光，电，热损耗。本文分析各层成分，层厚度，掺杂浓度以及有关的辅助技术，例如厚电流扩展层，电流隔离......
