【摘 要】
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随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电（ESD）保护器件显得日趋重要。传统的＂手动计算＋流片验证＂的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电（ESD）保护器件显得日趋重要。传统的＂手动计算＋流片验证＂的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地的NMOS（GGNMOS）器件,以Sentaurus为仿真平台,建立器件模型,根据ESD防护能力的需求,计算出GGNMOS的设计参数,设计出防护指标达到人体模型（HBM）4.5kV的管子。结果表明,该方法简单有效,能缩短设计周期,是防护器件设计的一种优秀方法。
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