【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软贋势方法,分别计算了立方相Ca2Si及掺杂P、Al的电子结构和光学性质。结果表明：立方相Ca2Si是带隙为0.55483 eV的直接带隙半导体,
【机 构】
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贵州民族大学大学生创新创业指导中心,贵州民族大学,贵州民族大学,贵州民族大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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Natural Science Foundation of Guizhou Province Education Department（[2015]428）, Science and Technology Foundation of Guizhou Province,China（[2015]7218,LH[2016]7077）, Youth Science and Technology Talen
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软贋势方法,分别计算了立方相Ca2Si及掺杂P、Al的电子结构和光学性质。结果表明：立方相Ca2Si是带隙为0.55483 eV的直接带隙半导体,价带主要由Si的3p和Ca的3d、4s态电子构成,导带主要由Ca的3d、4s和Si的3p态电子共同构成,静态介电常数为11.92474,折射率为3.45322。Ca2Si掺P后,Ca2Si转变为n型半导体,其带隙值是0.42808 V,价带主要由Si、Al的3p和Ca的3d、4s态电子构成,导带主要由Ca的3d、Al的3p
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