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采用传统的陶瓷工艺，制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K^＋掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明当x（K^＋）小于40×10^-6时，对其电性能几乎没有影响；但若x（K^＋）超过60×10^-6后，由于K^＋在晶界和三角区的大量偏析破坏了晶界层的稳定，导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。
K^＋对ZnO压敏陶瓷电性能的影响
【摘 要】
：
采用传统的陶瓷工艺，制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K^＋掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明当x（K^＋）小于40×10^-6时，对其电性能几乎没有影响；但若x（K^＋）超过60×10^-6后，由
【机 构】
：
贵州大学材料科学与冶金工程学院,西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学微电子学院
【出 处】
：
电子元件与材料
【发表日期】
：
2008年5期
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