高压VDMOS场板终端技术的研究

来源 :华中理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:green7116aaa
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采用MIS模型进行VDMOS器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对MIS模型进行了修正,在工艺上首次引入聚酰亚胺/SiO2复合介质层进行多层布线,形成阶梯形场板,使VDMOS器件的终端耐压量BV≥700V.
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