【摘 要】
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采用近常压下等离子体增强化学气相沉积的方法制备得到多孔氧化硅薄膜,并在沉积区域加载偏压对薄膜形貌和性质进行调制.扫描电镜显示偏压条件下沉积的薄膜更加蓬松多孔,常温
【机 构】
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东华大学材料科学与工程学院,东华大学理学院,东华大学磁约束核聚变教育部研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金;中央高校基本科研业务费专项资金
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采用近常压下等离子体增强化学气相沉积的方法制备得到多孔氧化硅薄膜,并在沉积区域加载偏压对薄膜形貌和性质进行调制.扫描电镜显示偏压条件下沉积的薄膜更加蓬松多孔,常温下阴极射线谱表明:增大偏压的占空比,CL谱中发光峰的位置并不改变,但谱线强度增大.发光峰的位置说明薄膜中的主要成分是Si-O-Si基团,且该种基团以非桥键的形式存在,薄膜中还存在少量的Si-H键,这与红外光谱测试结果一致.X射线衍射结果表明薄膜中的SiO2是非晶态的.
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