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热载流子退化对MOS器件的影响
热载流子退化对MOS器件的影响
来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mfktadxxxa
【摘 要】
:
介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,针对具体的工艺线,提取了MOS管加速寿命试验的模型参数,以阈值电压变化10 mV为失效判据,分别对0.8μm和0.6μm工艺线的热载流子注
【作 者】
:
章晓文
张晓明
【机 构】
:
信息产业部电子第五研究所
【出 处】
:
电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
:
2002年1期
【关键词】
:
热载流子
退化
MOS器件
注入
加速寿命试验
阈值电压
可靠性
集成电路
hot carrier injection
accelerated lifeti
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介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,针对具体的工艺线,提取了MOS管加速寿命试验的模型参数,以阈值电压变化10 mV为失效判据,分别对0.8μm和0.6μm工艺线的热载流子注入效应进行了评价.整个测试过程由程序控制,设备精度高,使用简便,适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价.
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