PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

来源 :集美大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangyongqihx

【摘要】

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采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残

【作者】

：

吴清鑫于映罗仲梓陈光红张春权杨渭

【机构】

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福州大学物理与信息工程学院,厦门大学萨本栋微机电研究中心

【出处】

：

集美大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

PECVD 氮化硅聚酰亚胺残余应力 <Keyword>PECVD silicon nitride polyim ide residual str

【基金项目】

：

国家自然科学基金，福建省自然科学基金

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采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力;讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响,并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析,得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.

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