基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法

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提出了一种模拟硅pn结光电池的新方法.基于电流型边界条件编程求解器件基本方程,获得符合实测条件的光电池短路电流.在此基础上,研究了衬底掺杂浓度对短路电流的影响.这一方法可用于作为探测器件的光电池的优化设计.
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