【摘 要】
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对于用射频溅射法制得的Fe_(83)B_(17)薄膜进行了平面霍耳效应的研究。实验表明:厚度大于800(?)的薄膜测量结果与导出的公式符合良好,且平面霍耳电压V_H的磁滞回线有轴对称性
【机 构】
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北京航空航天大学应用数理系,北京航空航天大学应用数理系,北京航空航天大学应用数理系
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对于用射频溅射法制得的Fe_(83)B_(17)薄膜进行了平面霍耳效应的研究。实验表明:厚度大于800(?)的薄膜测量结果与导出的公式符合良好,且平面霍耳电压V_H的磁滞回线有轴对称性,但对较薄的膜则出现对公式的偏离并失去对称性。V_H的幅值可达500μV,开关临界磁场为22×10~(-4)T,晶化以后薄膜的V_H减小约一个数量级。利用平面霍耳效应测量了薄膜的静态磁特性。
The plane Hall effect of Fe_ (83) B_ (17) thin films prepared by radio frequency sputtering was studied. The experimental results show that the measured results of the films with thicknesses above 800 (?) Are in good agreement with the derived formulas, and the hysteresis loops of the planar Hall voltage V_H have axial symmetry, but for thinner films, the formulas deviate and lose symmetry. The amplitude of V_H can reach 500μV, the critical magnetic field of switch is 22 × 10 ~ (-4) T, and the V_H of the film decreases about one order of magnitude after the crystallization. The static magnetic properties of the films were measured by the plane Hall effect.
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