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研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3) +0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻.
SiO2对（Sr，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2基压敏陶瓷电性能的影响
【摘 要】
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研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3) +0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压
【机 构】
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安徽大学,茂名学院,广州大学
【出 处】
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安徽大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2004年3期
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