基于单轴微拉伸的TSV铜力学性能研究

来源 :复旦学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：stonefountain

【摘要】

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电子产品的微型化趋势使芯片的三维集成概念应运而生,并通过硅通孔（TSV-through silicon via）技术得以实现.为了测试TSV中互连铜（Cu-TSV）的力学性能,提出了1个简便、易于操作的单

【作者】

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李君翊汪红王溯王慧颖程萍张振杰丁桂甫

【机构】

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微米／纳米加工技术国家重点实验室,上海交通大学微纳科学技术研究院,上海新阳半导体材料股份有限公司

【出处】

：

复旦学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2012年2期

【关键词】

：

硅通孔互连铜微拉伸微观力学性能 TSV Cu-TSV micro-tensile test micro-mechanical properties

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电子产品的微型化趋势使芯片的三维集成概念应运而生,并通过硅通孔（TSV-through silicon via）技术得以实现.为了测试TSV中互连铜（Cu-TSV）的力学性能,提出了1个简便、易于操作的单轴微拉伸方法.利用有限元分析优化设计Cu-TSV微拉伸试样的支撑框架结构,有效减小试样在制作及操作过程中的损伤;种子层采用溅射Ti膜取代传统的溅射Cr/Cu膜,减小了电镀过程中的应力,避免了对种子层碱性刻蚀时对试样的腐蚀;采用单轴微拉伸系统对优化设计与制备的Cu-TSV微拉伸试样进行测试.经测试得到的Cu

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