【摘 要】
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在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点.采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长
【基金项目】
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国家自然科学基金，面向21世纪教育振兴行动计划(985计划)
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在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点.采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm.最上层多层结构Ge量子点中岛状量子点的比例为75%,其直径66 nm,高11nm,密度4.5×109cm-2.利用透射电子显微镜分析了垂直自对准的Ge量子点的截面形貌,结果表明多层结构Ge量子点是垂直自对准的.Ge量子点及其浸润层的喇曼谱峰位分别为299 cm-1和417
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