用于聚合物基微流体MEMS的等离子体活性晶圆键合技术(英文)

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Lab-on-chip或μ-TAS(micro-totalanalysissystems)结合流体处理、检测及数据分析,是一种便携式的低成本高效器件。在微流体应用中,聚合物具有比硅或玻璃器件更明显的优势,它包括:宽泛的材料选择性,成本低、效率高,使用任意性,生物兼容性,抗化学品和工艺灵活性。为了实现采用这类材料制备小型集成化系统,我们发展了新的制备与封装技术。这项工作着眼于运用等离子体活化低温直接键合技术实现纳/微结构聚合物在低温条件下进行封装。由纳米压印光刻制作的纳/微结构的聚合物器件,可能是异质(聚合物与玻璃或硅)或同质(聚合物与聚合物)键合。为了改进键合材料的物理和化学熔合,键合工序通常在接近聚合物的玻璃化转变温度的高温下进行。但遗憾的是,高温损伤了微细图形,特别是对于高深宽比结构。在EVG810LT 等离子体反应室里,我们采用软射频频率等离子体表面处理,来进行聚合物的等离子体活化,它能在不改变聚合物体特性的前提下清洗和活化聚合物顶层。最终结果是,在EVG501晶圆键合机上,两个活化的表面在低温下通过施加一个适中的、均匀的接触压力而连接在一起,保证了空腔密封并防止了小结构的破坏和变形。键合工艺条件为:真空条件为从大气到200~1000Pa、接触压力为2~5kN、温度从室温到80℃。RR Lab-on-chip or μ-TAS (micro-totalanalysissystems) combined with fluid handling, detection and data analysis, is a portable, cost-effective device. In microfluidic applications, polymers have distinct advantages over silicon or glass devices and include: broad material selectivity, low cost, high efficiency, use of any, biocompatibility, chemical resistance and process flexibility. In order to produce small, integrated systems using this type of material, we have developed new fabrication and packaging technologies. This work focuses on the use of plasma activated low-temperature direct bonding technology to achieve nanostructured polymers encapsulated at low temperatures. Nanostructured polymer devices fabricated by nanoimprint lithography may be heterogeneous (polymer to glass or silicon) or homogeneous (polymer to polymer) bonding. In order to improve the physical and chemical fusion of the bonding material, the bonding process is usually carried out at a high temperature near the glass transition temperature of the polymer. Unfortunately, high temperatures damage fine patterns, especially for high aspect ratio structures. In the EVG810LT plasma chamber, we use a soft RF frequency plasma surface treatment to activate the polymer plasma, which cleans and activates the polymer top layer without changing the properties of the polymer. The end result is that on the EVG501 wafer bonder, the two activated surfaces are joined together at a low temperature by applying a moderate, uniform contact pressure, ensuring the cavity seal and preventing damage and deformation of small structures. Bonding process conditions: vacuum conditions from the atmosphere to 200 ~ 1000Pa, contact pressure of 2 ~ 5kN, the temperature from room temperature to 80 ℃. RR
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