【摘 要】
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针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380~510 nm转换波长的闪烁体,分别从K2CsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一
【机 构】
:
南京理工大学电子工程与光电技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目,编号:61171042
论文部分内容阅读
针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380~510 nm转换波长的闪烁体,分别从K2CsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极K1.75CsSb1.25是直接禁带半导体,能带弯曲最大,功函数最小;中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在380~510 nm,可以确定双碱阴极透射式工作范围在2.92~3.26 eV,反射式工作范围在2.43~2.92eV;针对球形光电倍增管结构,提出了透射式与反射式阴极量子效率最大化方案和K1.75CsSb1.25阴极6点监控制备方法,给出了测试方法。
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