【摘 要】
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对离子束混合技术制备的C-SiC阻氢涂层进行了SEM形貌观察,比较了在相同组分的C-SiC靶材下采用不同的Ar+离子轰击剂量,在相同的Ar+离子轰击剂量下采用不同组分的C-SiC靶材所制
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所·,教育部辐射物理及技术重点实验室
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对离子束混合技术制备的C-SiC阻氢涂层进行了SEM形貌观察,比较了在相同组分的C-SiC靶材下采用不同的Ar+离子轰击剂量,在相同的Ar+离子轰击剂量下采用不同组分的C-SiC靶材所制备涂层的表面形貌特征,并由二次离子质谱(SIMS)分析了C-SiC涂层的阻氢性能.结果表明,所制备C-SiC涂层的表面形貌与靶材组分以及Ar+离子轰击剂量有关,不同的形貌特征对涂层的阻氢性能影响不同.
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