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对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量辐射响应牧场生和抗总剂量辐射水平，并通过研究其照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。
CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性
【摘 要】
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对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量辐射响应牧场生和抗总剂量辐射水平，并通过研究其照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1997年12期
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