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采用直流热阴极化学气相沉积（DC-PACVD）方法,以NH3＋CH4＋H2混合气体作为气源,通过改变氨气浓度,在单晶硅基片上沉积金刚石膜。采用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪分析了不同氨气浓度下制备的金刚石膜。结果表明：随着氨气浓度的增大,金刚石膜中晶粒的平均粒度减小,能实现纳米级别,在一定范围内氨气浓度增加,有助于提高金刚石膜生长结构的调节。