【摘 要】
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为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与SIPOS(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层SIPOS结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电荷的影响更小,同时具有更高的击穿电压。以3.3 kV耐压等级的终端为例,利用仿真软件TCAD对所提出的新型终端复合结构进行了工艺和结构上的仿真,并且对影响新结构击穿电压的关键因素进行了分析。结果表明,随着SIPOS结构氧含量的减少,新结构的击穿电压不断提高,并且
【机 构】
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华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(52077073)。
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为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与SIPOS(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层SIPOS结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电荷的影响更小,同时具有更高的击穿电压。以3.3 kV耐压等级的终端为例,利用仿真软件TCAD对所提出的新型终端复合结构进行了工艺和结构上的仿真,并且对影响新结构击穿电压的关键因素进行了分析。结果表明,随着SIPOS结构氧含量的减少,新结构的击穿电压不断提高,并且
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