基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:amyfun
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对适用于超深亚微米电路模拟的MOSFET器件模型进行了研究,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于BSIM3的MOSFET模型.针对阈值电压模型以及I-V模型中的参数编写了模型参数提取程序,采用最小二乘法原理,并采用麦夸脱算法以降低参数提取结果对初值的依赖,对已有参数进行了修正.模型以及参数提取结果都分别进行了验证.
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