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对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件，静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作，基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器件也存在同样的问题。为了说明漏电流对新型器件性能的影响，利用双重积分方法提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流理论预测模型，并在此基础上，基于BSIM4模型使用HSPICE仿真工具进行了仔细的研究，定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下，MOSFET器件、CMOS电路的性能。仿真结果能很好地与理论分析相符合，这些理论和实验数据将有助于以后的集成电路设计。