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多孔硅的能带与发光机制的研究与分析
多孔硅的能带与发光机制的研究与分析
来源 :辽宁大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ZhuoFeichi
【摘 要】
:
在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.
【作 者】
:
丁德宏
张宏
付世
姚朋军
范军
张宏庆
沈桂芬
【机 构】
:
辽宁大学
【出 处】
:
辽宁大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
2004年1期
【关键词】
:
多孔硅
能带
发光机制
量子限制模型
表面态
能量赝势法
光致发光
porous silicon
photoluminescence
quantum con
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在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.
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