【摘 要】
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传统的GaAs电镀布线工艺,镀层金属与种子层呈锐角,导致氮化硅表面出现变色脱落等现象,影响器件稳定性和可靠性。本文改进了传统的电镀布线工艺,在电镀布线后,表面先涂覆薄层聚合物(0.5μm以内)以消除锐角,消除应力集中点,之后再淀积氮化硅,形成复合保护层。改进后的工艺解决了因镀层金属应力集中导致的氮化硅表面变色和脱落等问题。
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传统的GaAs电镀布线工艺,镀层金属与种子层呈锐角,导致氮化硅表面出现变色脱落等现象,影响器件稳定性和可靠性。本文改进了传统的电镀布线工艺,在电镀布线后,表面先涂覆薄层聚合物(0.5μm以内)以消除锐角,消除应力集中点,之后再淀积氮化硅,形成复合保护层。改进后的工艺解决了因镀层金属应力集中导致的氮化硅表面变色和脱落等问题。
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