Design of 35 GHz 1 Watt GaAs pHEMT Power Amplifier MMIC

来源 :电子科技学刊：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ruocich

【摘要】

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由使用 0.15m GaAs pHEMT ( pseudomorphic 高度电子活动性晶体管)技术，毫米波浪力量放大器微波的一个图案整体的集成电路( MMIC )是 presented.With 电路结构上的小心的优

【作者】

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Bo Hong Wen-Bin Dou

【机构】

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theStateKeyLaboratoryofMillimeterWaves

【出处】

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电子科技学刊：英文版

【发表日期】

：

2011年1期

【关键词】

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集成电路设计功率放大器 PHEMT GaAs GHZ MMIC 高电子迁移率晶体管大功率直流电源 GaAs pHEMT （pseudomorphic hig

【基金项目】

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This work was supported by the Innovation Fund of State Key Lab of Millimeter Waves. The authors would like to thank the staff of Institute of RF＆OE-ICs, especially Mrs. Zhang Li for her help of provi

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由使用 0.15m GaAs pHEMT ( pseudomorphic 高度电子活动性晶体管)技术，毫米波浪力量放大器微波的一个图案整体的集成电路( MMIC )是 presented.With 电路结构上的小心的优化，这个二阶段的电源放大器从 33 GHz 与 1 dB 的变化完成 15.5dB 的模仿的获得到超过在浸透的 30dBm 的模仿的产量电源能与最大的电源从 3 W DC 供应被拉的 37GHz .A 26% .Rigorous 的增加的效率( PAE )电磁的 s

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