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制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度（300℃，350℃，400℃）对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示，温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响。随着成核温度的升高，InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低。