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文中指出,低温石墨化的关键在于改善共晶渗碳体的石墨化动力学条件,研究了工业纯硅、硅钡、硅锆及碳化硅等孕育剂及硅含量对低温石墨比的影响。电子探针分析表明:硅在共晶渗碳体界面处富集,少量硅进入共晶渗碳体中。X射线衍射分析表明:随硅量增加,渗碳体点阵参数增加,晶胞体积显著增大。并就生产中如何实现低温石墨化提出一些看法。