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采用磁控溅射的方法制备Ｃｒ、Ｔａ、ＡＩ、Ｍｏ、ＭｏＷ等金属薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ四探针法等分析手段分析了薄膜性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响，得到了制作ＴＦＴ器件中优质金属电极的工艺参数。
TFT阵列金属电极的制备与性能
【摘 要】
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采用磁控溅射的方法制备Ｃｒ、Ｔａ、ＡＩ、Ｍｏ、ＭｏＷ等金属薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ四探针法等分析手段分析了薄膜性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响，得到了制作ＴＦＴ器件
【机 构】
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北方液晶工程研究开发中心,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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中国科学院“九五”重大资助项目! ( KY951 -A1 -50 2 ) ,,吉林省“九五”科技攻关项目 !( 970 1 0 3-0 1 )
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