溅射速率相关论文
在表面分析领域内为了减少物质的溅射速率的离散性,本文用阳极氧化法研制了Ta2O5标样.本文具体介绍了Ta2O5研制的工艺过程,用绝对......
在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法在ITO膜中的应用为例，说明该方......
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
溅射深度剖析现已成为测量材料表层及薄膜中元素成分分布的一种常规技术,对其工作参数的研究是其发展迅速的重要原因。本文在介绍......
通过对溅射过程中辉光放电视现象及薄膜沉积速率的研究,发现随着氮浓度的增大,靶面上形成一层不稳定的AIN层,由于AIN的溅射速率远......
辉光放电原子发射光谱仪(Glow Discharge Optical Emission Spectrograph, GD-OES)是近年来出现的用于物质表面化学成分检测的现代......
介绍了将离子枪组合于卢瑟福背散射分析靶室中构成Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ原位分析实验装置，用低能离子溅射剥层与高能离子背散射组合对薄膜样品进行成分和......
利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜，采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
分析了目前Low-E玻璃存在的问题,给出了解决办法及思路,介绍了碳化硅膜层的特性以及在镀膜领域尤其是低辐射膜层(Low-E)中的应用,......
研究了Ta种子层的厚度、溅射速率对Ta/Ni65Co35双层膜各向异性磁电阻值(△p/p)、矫顽力和织构的影响.研究表明,适当的Ta层厚度和较......
用磁控反应溅射方法制备ＩＴＯ膜时，溅射速率不断变化，并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光，报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率......
采用磁控溅射的方法制备Ｃｒ、Ｔａ、ＡＩ、Ｍｏ、ＭｏＷ等金属薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ四探针法等分析手段分析了薄膜性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体......
在离子束辅助镀膜工艺中,离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素.本文对宽束冷阴极离子源溅射特性进行了研究,给出了离子源......
在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法ＩＴＯ膜中的应用为例，说明该在实际应......
本文给出了ＭＩＱ－１５６型ＳＩＭＳ仪器中离子枪溅射速率和一次束能量及扫描档次的数学表达式，并且通过实验测量加以证实；同时还得到了一次束直径和束流强......
为了研制出适用于高温等恶劣环境且性能优良的用于切削力测量的合金薄膜传感器，结合新型合金薄膜材料的基本性能和离子束、磁控溅射......
用PHI600型扫描俄歇探针对二氧化硅标样测定了氩离子对二氧化硅的溅射速率。溅射速率随离子枪束压的升高而增大,随扫描范围的加大......
从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度.模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构......
从理论上分析了平面磁控溅射靶沉积薄膜的厚度均匀性。根据磁控溅射阴极靶刻蚀的实际测量数据 ,建立了靶的刻蚀速率方程 ,以此为依......
影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、......
磁控溅射自20世纪70年代诞生以来,因较高的沉积率和成膜质量而成为薄膜制备的重要手段之一,被广泛应用于集成电路制造、特殊功能材......
