【摘 要】
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噪声对RF电路设计非常关键，故需要对SiGeHBT噪声特性进行深入研究。根据器件的高频噪声模型，指出了影响SiGeHBT高频噪声参数的主要因素，论述了优化设计的具体方法；举例说明尺寸缩
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜集成器件国家重点实验室
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噪声对RF电路设计非常关键，故需要对SiGeHBT噪声特性进行深入研究。根据器件的高频噪声模型，指出了影响SiGeHBT高频噪声参数的主要因素，论述了优化设计的具体方法；举例说明尺寸缩小使得高频噪声性能已经达到了GaAspHEMT的水平，fT达到了375GHz。分析了SiGeHBT低频噪声的机理和模型及其与几何尺寸的关系，指出用fc／fT表达低频噪声性能更合适；举例说明小尺寸效应使得SiGeHBT的低频噪声偏离了1／f噪声形式。
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