【摘 要】
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利用真空熔炼的方法,研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达1~10kΩ,电阻温度系数α在±100×10-6℃-1以内,脉冲稳定性在0.5%以下的电阻体。其阻值和其
【机 构】
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上海交通大学材料科学系; 上海无线电一厂;
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利用真空熔炼的方法,研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达1~10kΩ,电阻温度系数α在±100×10-6℃-1以内,脉冲稳定性在0.5%以下的电阻体。其阻值和其他电性能稳定可靠,分档集中,产品性能达到GB5873-86标准,适用于金属膜电阻器生产。
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