高反射率p-GaN欧姆接触电极

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong511

【摘要】

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根据光学薄膜原理计算了GaN／Ti／Ag、GaN／Al和GaN／Ni／Au／Ti／Ag、GaN／Ni／Au／Al多层电极结构的反射率，得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明，反射率能

【作者】

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康香宁章蓓胡成余王琦陈志忠张国义

【机构】

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北京大学物理学院；人工微结构和介观物理国家重点实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

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p-GaN 欧姆接触反射电极两步合金法激光剥离垂直结构LED

【基金项目】

：

国家“863”计划(2001AA313110,2001AA313060,2001AA313140);北京市科技项目(H030430020230);国家自然科学基金(60276034,50228202);集成光电子国家联合重点实验室开放课题资助项目

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根据光学薄膜原理计算了GaN／Ti／Ag、GaN／Al和GaN／Ni／Au／Ti／Ag、GaN／Ni／Au／Al多层电极结构的反射率，得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明，反射率能高于80％的Ag基反射电极，具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN／Ni／Au／Ti／Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构，并引入Ni／Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题，显著地提高

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